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（原标题：三星这项期间，振奋第二春）

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开端：内容来自 tomshardware

三星正将其Z-NAND存储期间“起死复活”，并对准极高的性能观念。

据《电子时报》（DigiTimes）报谈，三星下一代Z-NAND的性能观念最高可种植至15倍，同期研发出一项新期间，使GPU大致径直探员由Z-NAND驱动的存储成立（访佛微软的DirectStorage API）。

据悉，三星存储业绩部奉行副总裁示意，公司权术让Z-NAND在性能上达成最高15倍的飞跃，同期将功耗比拟传统NAND闪存缩短多达80%。

这款新一代Z-NAND被特别优化用于AI运用，尤其是AI GPU，并防卫减少相较于前代居品的蔓延。为此，三星引入了一项名为“GPU发起的径直存储探员”（GPU-Initiated Direct Storage Access，简称GIDS）的新期间，并将其集成进下一代Z-NAND闪存中。借助GIDS，GPU大致绕过CPU和DRAM，径直探员Z-NAND存储成立，从而显贵缩短探员期间和系统蔓延。

Z-NAND最早于2010年代中后期问世，是三星对英特尔3D XPoint Optane存储的替代决议。这两种存储期间齐创造了一个介于传统SSD与DRAM之间的新存储层级，阐扬得像SSD，但蔓延更低、性能更好，接近DRAM水准。

与透彻不同于传统NAND闪存架构的英特尔3D XPoint不同，三星第一代Z-NAND内容上是“加速版”的SLC NAND SSD，基于进程雠校的V-NAND筹办（48层结构，SLC花式开动）。其关节升级之一是大幅减轻了页大小，可低至2-4KB，这让SSD大致以更少量据块进行读写，加速速率并缩短系统蔓延；而鄙俚SSD的页大小频繁在8-16KB之间。

在那时，秉承英特尔Optane或三星Z-NAND的硬盘，速率大要是同期传统SSD的6到10倍。若是三星的新一代Z-NAND能达成观念，其性能将比现在NVMe SSD快15倍。固然传统SSD也在阻挡加速（PCIe 6 SSD行将到来），老本也曾Z-NAND改日版块的一大挑战，但在AI硬件需求捏续热潮的配景下，三星彰着不愁找不到客户。

https://www.tomshardware.com/pc-components/storage/samsungs-revived-z-nand-targets-15x-performance-increase-over-traditional-nand-once-a-competitor-to-intels-optane-z-nand-makes-a-play-for-ai-datacenters

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